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2020江苏省重点研发计划
课题名称：面向5G通信应用的6英寸碳化硅上高质量氮化镓外延生长研究
立项时间：2020年
重点解决6 英寸GaN 外延材料位错密度高、翘曲度大、均匀性差和重复性差等科研与学术的关键难题，提高国产SiC 衬底GaN HEMT 外延材料和微波器件技术水平，形成具有自主知识产权的成套核心技术，满足民用5G 移动通讯基站和雷达等军民领域的爆发式增长需求。对解决关键材料“卡脖子”问题，摆脱受制于人的被动局面具有重要战略意义。
项目状态：进行中 -
2018江苏省重点研发计划
课题名称：蓝宝石基高可靠GaN-HEMT器件制备及应用关键技术研发
立项时间：2018年
解决的问题、效益及意义：
研制出满足智能家电、新能源汽车等应用需求的高可靠性蓝宝石基增强型GaN-HEMT器件。项目状态：已结题 -
2018江苏省重点研发计划
课题名称：大尺寸、高质量氧化镓超宽禁带功率半导体材料关键技术开发及应用
立项时间：2018年
解决的问题、效益及意义：
在材料外延技术和规模化制备工艺方面取得关键性突破，获得满足功率电子器件要求的高质量、大尺寸、低成本Ga2O3外延晶圆，为我国在先进功率半导体及其电力电子器件领域的发展和实用化提供技术支撑。项目状态：已结题 -
2017国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项
课题名称：GaN基新型电力电子器件关键技术 课题GaN基功率器件雪崩击穿效应与新型耐压结构
立项时间：2017年
解决的问题、效益及意义：
GaN基器件耐压水平实现突破，达到国际先进水平，阐明GaN基器件的稳定性问题，找到提高器件稳定性方法；尝试GaN基器件在电源中的应用，为推广实用化打下基础。项目状态：已结题 -
2016江苏省重点研发计划
课题名称：高性能增强型Si基GaN功率开关器件共性关键技术研发
立项时间：2016年
解决的问题、效益及意义：
结合国家在节能减排和实现能源高效利用等方面的发展需求，以实现高性能增强型Si基GaN功率开关器件为目标，开展与之相关的共性关键技术的研发工作，实现相关的技术突破与产业化开发。项目状态：已结题
