2023年11月12日至17日，第14届国际氮化物半导体会议（International Conference on Nitride Semiconductors）在日本福冈市（Fukuoka）举行，能华半导体亮相此次盛会。

国际氮化物半导体会议（ICNS）是氮化物半导体领域国际学术会议，会议内容涉及氮化物半导体材料与器件的进展和研究动态，每两年举办一次，自第一届在日本召开以来，举办地点在亚洲、欧洲、美国之间轮替，会议为世界各地的学者提供了一个良好的交流、互动的学术平台。

本届ICNS-14会议共有1240余名来自世界各国的氮化物半导体领域的知名专家和学者参加了交流和讨论，包含424场大会口头学术报告和407个大会海报报告，涵盖氮化物半导体“材料生长”、“电子器件”、“光学器件”和“基础物理”等多个主题的研讨，会议集中就氮化物材料中的重要物理机制、材料生长及缺陷控制技术、氮化物器件性能提高面临的主要技术障碍和未来发展趋势等进行了深入讨论。

会上，能华半导体研发中心总监武乐可博士发表了主题为《High-Vth E-mode HEMTs With Robust Gate-Bias-DependentVth Stability Enabled by Mg-Doped p-GaN Engineering》的精彩演讲，针对能华EMODE器件具有阈值电压（Vth)高、栅极可靠性强的优点，从物理机制上分析了其原理，并通过各种测试手段进行了验证，同时，在大会上介绍了能华半导体的EMODE和DMODE产品。

能华半导体研发中心夏远洋博士与其导师Dr.J.Brault会面，夏博士在本次会议演讲中针对GaN器件在1200V应用中的耐压表现和动态特性作了详细表述，与来自欧美日多国专家就GaN器件在1200V领域的应用潜力进行了深入讨论，并对相关领域取得的进步和存在的挑战进行了分析总结；预计将在2024年初，能华半导体将全面推出1200V量产器件。

氮化物半导体在全球科研人员和业界的共同努力下，历经数十年的发展，已逐步向下游器件乃至终端应用领域延伸并与之深度绑定。

未来，能华半导体将继续深耕、稳中创新，让我们拭目以待。

能华半导体与ICNS的历史渊源 

能华半导体创始人朱廷刚博士早在2001年就参加美国丹佛第4届氮化物半导体国际会议，发表了《紫外光电化学选择性刻蚀n/p GaN 在GaN BJT的应用》；2015年，在北京第11届氮化物半导体国际会议上，能华参与赞助并设置专门展位。