12月9日至13日，第69届IEEE国际电子器件年会(International Electron Devices Meeting，IEDM 2023)在美国旧金山举行。

国际电子器件大会（IEDM）始于1955年，是集成电路器件领域的D级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力，被誉为“器件的奥林匹克盛会”。

IEDM影响力巨大，是全球报道半导体及电子器件领域新的科技、设计、制造、物理及建模的主要论坛，也是高校、研发机构和行业领军企业报告其技术突破的重要平台。每年Intel、Samsung、TSMC和IBM等国际知名半导体公司都会利用这个会议发布其新研究成果。

本次 2023 IEDM 大会上，能华半导体发表了题为“1200V E-mode GaN Monolithic Integration Platform on Sapphire with Ultra-thin Buffer Technology”（基于超薄缓冲层技术的 1200V 增强型氮化镓单片集成平台）的论文，包含高压增强型GaN器件、低压增强型GaN器件、二极管、电阻和电容等，其中高压器件击穿电压达2300V，在1200V电压下的关态漏电仅为100pA/mm，浅槽隔离结构击穿电压达3000V。

基于江苏能华和东南大学长期的技术合作，共同开发了超薄缓冲层(UTB)外延技术，全球首次报道1200V GaN高低压兼容制备工艺，基于该技术研制的1200V GaN半桥集成芯片实现了800V/1MHz/175℃条件下无串扰工作。