8月17日，由中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟(以下简称“中宽联”)、张家港市人民政府联合主办，张家港经开区、高新区、科技局承办，江苏能华微电子科技发展有限公司协办的“中外化合物半导体产业与技术发展交流会”在江苏张家港顺利举行，取得圆满成功!

  国家工信部电子信息司集成电路处任爱光处长、张家港市人民政府胡俊副市长、美国工程院院士罗素.迪普伊(Russell D.Dupuis)教授(MOCVD之父)、中宽联肖向锋秘书长等领导、中外行业专家、企业家近百人参加此次会议。任爱光处长, 胡俊副市长分别致辞，祝贺会议的隆重召开。

  会议期间，罗素.迪普伊院士作了“照亮世界：III-V族化合物半导体器件的金属有机化学气相沉积”的报告;沙特阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授作了“宽禁带半导体紫外发光器件的机会和挑战”的报告;美国伊利诺伊大学史军霞教授作了“GaN技术发展回顾及展望”的报告;中科院苏州纳米所黄勇研究员作了“III-V族化合物半导体材料、器件与应用”的报告;中科院苏州纳米所刘建平研究员作了“氮化镓可见光激光器及其应用”的报告。

  与会人员认真听取了以上5位专家学者的报告，重点探讨了氮化镓半导体产业在国内外的发展现状，会议对推进技术协同和产业良性发展将起到积极的促进作用。

  张家港市政府高度重视宽禁带半导体的发展，将其作为一项重要的产业来培育，并启动了《张家港市化合物半导体产业发展规划》工作。市政府、经开区、高新区从2017年开始与中宽联积极合作，除此次会议外，还联合主办了“2017年中国宽禁带功率半导体及应用产业论坛大会”、“《中国宽禁带功率半导体发展路线图》终审会”，都取得了圆满成功。未来，中宽联将与张家港市继续开展紧密合作，共同推动产业良性发展。